Grafite poroso revestido com TaC

O Anel de Grafite Poroso Revestido com Carboneto de Tântalo (TaC) da Semixlab é um componente de grafite de alto desempenho, especialmente projetado para o crescimento de monocristais de carbeto de silício (SiC). Este produto é fabricado com um substrato de grafite poroso de alta pureza e revestido com uma camada de carbeto de tântalo (TaC) resistente a altas temperaturas e à corrosão. Apresenta excelente resistência ao choque térmico, estabilidade química e longa vida útil, sendo um consumível essencial no forno de crescimento de monocristais de SiC (método PVT).

As características do produto

1. Substrato de grafite poroso de alta pureza

Utiliza-se grafite isostático de altíssima pureza (≥99.9999%), com porosidade controlável, garantindo boa uniformidade térmica e permeabilidade a gases, e otimizando o ambiente de crescimento de monocristais de SiC.

Baixo teor de cinzas e impurezas, reduzindo o risco de contaminação durante o processo de crescimento dos cristais.

2. Proteção com revestimento de carboneto de tântalo (TaC)

O revestimento de TaC apresenta um ponto de fusão extremamente alto (~3880℃) e excelente inércia química, impedindo eficazmente que o grafite reaja com o vapor de Si/C em altas temperaturas e reduzindo o desprendimento de partículas de grafite que contaminam os cristais.

O revestimento é denso e uniforme, aumentando significativamente a resistência à oxidação e à corrosão do anel de grafite e prolongando sua vida útil.

3. Excelente estabilidade térmica

Possui um baixo coeficiente de expansão térmica e forte resistência ao choque térmico, tornando-o adequado para rápidas subidas e descidas de temperatura durante o processo de crescimento de monocristais de SiC (acima de 2000℃).

A alta condutividade térmica garante uma distribuição uniforme do campo térmico e melhora a qualidade do crescimento dos cristais.

4. Design personalizado

O tamanho dos poros, a porosidade, a dimensão do anel de grafite e a espessura do revestimento de TaC podem ser ajustados de acordo com as necessidades do cliente para se adaptarem a diferentes tipos de fornos de crescimento de cristais de SiC (como os de aquecimento por indução ou por resistência).

Detalhe rápido:

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Objetivo: Garantir a deposição estável de filmes de alta qualidade no processo PECVD, maximizando simultaneamente a eficiência de produção do equipamento e o rendimento de wafers.

Parâmetros principais: Porosidade: 10%-30%, material de revestimento: revestimento de TaC, espessura do revestimento: 30±5um, temperatura máxima de serviço: 2200℃ (ambiente inerte/vácuo), pureza ≥99.9999%, coeficiente de expansão térmica ≤5×10⁻⁶/K (temperatura ambiente - 2000℃)

Parâmetros técnicos

Cenários de aplicação

● Crescimento de monocristais de SiC (método PVT): Como componente de cadinho ou componente de campo térmico, é utilizado para a sublimação e deposição de cristais de matérias-primas de SiC em ambientes de alta temperatura.

● Preparação de outros materiais semicondutores de alta temperatura: como processos de crescimento de cristais para semicondutores de banda proibida larga, como GaN e AlN.

● Longa vida útil: 

O revestimento de TaC reduz significativamente a perda de grafite, diminui a frequência de substituição e economiza custos.

● Alta qualidade de cristal: 

Reduzir a contaminação por partículas e aumentar a pureza e a integridade cristalina dos monocristais de SiC.

● Fornecimento confiável: 

Um sistema rigoroso de controle de qualidade garante a consistência dos lotes e atende às demandas de produção em larga escala.

● Suporte técnico:

Oferecemos consultoria técnica, otimização de projetos de sistemas térmicos e serviços de acompanhamento pós-venda.

Suporte à personalização não padronizada para atender a requisitos especiais de processo.

● Clientes aplicáveis: 

Fabricantes de substratos de SiC, fabricantes de equipamentos semicondutores, instituições de pesquisa, etc.

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