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Conteúdo: Uma coleção de nossas principais patentes de invenção (mais de 8), comprovando nosso domínio original em revestimentos gradientes CVD e tecnologia de SiC sólido. Esses documentos atestam nossa independência técnica e conformidade com a propriedade intelectual.

Categoria Técnica	Título da patente (invenção)	Patente No.	Inventor chave	Valor Estratégico
Revestimento TaC	Componente de grafite com revestimento gradiente de TaC/Ta2C e seu método de preparação	ZL202411703774.0	Prof. Shaolong Ele	Aumenta a resistência ao choque térmico e a adesão em reatores de alta temperatura.
Equipamentos TaC	Aparelho para preparar revestimento sinterizado de TaC em substrato de grafite	ZL202110992463.0	LW Zhou	Sistema automatizado para revestimento de carboneto de tântalo de alta pureza.
Compósito de SiC	Um método CVD para preparar revestimento composto de SiC em silício monocristalino/policristalino.	ZL202410071607.2	Prof. Shaolong Ele	Essencial para susceptores de epitaxia de alta qualidade e suportes de wafers.
Novos Materiais	Material compósito de carbeto de silício/grafite e seu método de preparação	ZL202410990154.3	Prof. Shaolong Ele	Materiais semicondutores de última geração, de alta resistência e alta pureza.
CVD de baixa temperatura	Método para preparação de revestimento de SiC em superfícies metálicas a baixa temperatura	ZL202311149201.3	Prof. Shaolong Ele	Amplia a proteção de SiC para componentes metálicos sensíveis ao calor.
CVD de baixa temperatura	Aparelho para preparação em baixa temperatura de revestimento de SiC em superfícies metálicas	ZL202110992466.4	LN Ding	Equipamentos especializados para revestimento de precisão em baixas temperaturas.
Compósitos C/C	Método para preparar revestimento de SiC para compósitos de carbono-carbono (C/C)	ZL202410002048.X	Prof. Shaolong Ele	Melhora a resistência à oxidação de componentes de campo térmico de longa duração.
Pesquisa e Desenvolvimento Avançado	Aparelho para preparação de esponja de carbeto de silício por deposição química de vapor.	ZL202210703163.0	Prof. Shaolong Ele	Equipamento patenteado para o desenvolvimento de estruturas semicondutoras porosas.

Componente de grafite com revestimento gradiente de TaC/Ta2C e seu método de preparação
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Aparelho para preparar revestimento sinterizado de TaC em substrato de grafite
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Um método CVD para preparar revestimento composto de SiC em silício monocristalino/policristalino.
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Material compósito de carbeto de silício/grafite e seu método de preparação
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Método para preparação de revestimento de SiC em superfícies metálicas a baixa temperatura
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Aparelho para preparação em baixa temperatura de revestimento de SiC em superfícies metálicas
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Método para preparar revestimento de SiC para compósitos de carbono-carbono (C/C)
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Aparelho para preparação de esponja de carbeto de silício por deposição química de vapor.
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Propriedade Intelectual e Patentes

Componente de grafite com revestimento gradiente de TaC/Ta2C e seu método de preparação

Aparelho para preparar revestimento sinterizado de TaC em substrato de grafite

Um método CVD para preparar revestimento composto de SiC em silício monocristalino/policristalino.

Material compósito de carbeto de silício/grafite e seu método de preparação

Método para preparação de revestimento de SiC em superfícies metálicas a baixa temperatura

Aparelho para preparação em baixa temperatura de revestimento de SiC em superfícies metálicas

Método para preparar revestimento de SiC para compósitos de carbono-carbono (C/C)

Aparelho para preparação de esponja de carbeto de silício por deposição química de vapor.

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