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Susceptor Epi Planetário TaC
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | Semixlab |
| Número modelo: | TPES0001 |
| Certificação: | ISO 9001 |
| Quantidade mínima: | 1pc |
| Preço: | Personaliza a tua |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de exportação padrão |
| Tempo de entrega: | 30-45days |
| Condições de pagamento: | Para ser negociado |
| Habilidade da fonte: | 200 unidades por mês |
Descrição
O disco planetário Aixtron é um componente de rolamento fundamental em equipamentos de deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD), utilizado principalmente no processo de crescimento de lâminas epitaxiais de carbeto de silício (SiC). Sua estrutura central adota um design composto de grafite de alta pureza + revestimento de carbeto de tântalo (TaC).
Detalhe rápido:
1. Outros nomes: Disco planetário Aixtron, susceptor planetário revestido com TaC, susceptor SiC Epi para reator Aixtron
2. Aplicação: Para processos epitaxiais de semicondutores de terceira geração, como carbeto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) e outros semicondutores de alto desempenho.
3. Parâmetros principais:
A estrutura permanece estável a 2000°C para evitar a contaminação da câmara de reação por volatilização do revestimento.
Resistência eficaz à erosão causada por gases precursores como SiH₄ e HCl. Reduz defeitos superficiais no substrato.
A condutividade térmica da estrutura composta de grafite + TaC é próxima à da pastilha de SiC (SiC: 490 W/m·K), reduzindo a distorção da rede cristalina causada pelo estresse térmico.
The surface roughness of TaC coating is < 1μm, which can inhibit the fall off of micro-particles and ensure the surface quality of epitaxial layer (defect density < 0.5/cm²).
Resumo do Produto
O disco planetário Aixtron é um componente de rolamento fundamental em equipamentos de deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD), utilizado principalmente no processo de crescimento de lâminas epitaxiais de carbeto de silício (SiC). Sua estrutura central adota um design composto de grafite de alta pureza + revestimento de carbeto de tântalo (TaC):
Substrato de grafite: proporciona excelente condutividade térmica (~130 W/m·K) e alta estabilidade térmica (temperatura > 2000℃) para garantir uma distribuição uniforme do campo térmico na câmara de reação.
Revestimento de carboneto de tântalo: A superfície de grafite é coberta por um processo de deposição química de vapor (CVD) ou sinterização, geralmente com 30 a 100 µm de espessura, para formar uma barreira química densa.
O projeto é otimizado para o ambiente de alta temperatura (1500-1700℃) e altamente corrosivo (silano, HCl e outros gases) do crescimento epitaxial de SiC, melhorando significativamente a estabilidade do processo e o rendimento do wafer.
Comparação do desempenho de revestimentos de carbeto de tântalo (TaC) e carbeto de silício (SiC)
| Material de revestimento | Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) | Revestimento de carbeto de silício (SiC) |
| Ponto de fusão | Ponto de fusão 3880℃ (limite superior de temperatura) | Ponto de fusão 2700℃ (decompõe-se facilmente a altas temperaturas) |
| Coeficiente de expansão térmica | Coeficiente de expansão térmica 6.3×10⁻⁶/K (melhor correspondência com o grafite) | 4.5×10⁻⁶/K (fácil de rachar devido à incompatibilidade térmica) |
| Resistência à corrosão por vapor de silício | Excelente resistência à corrosão por vapor de silício (baixa reatividade de TaC e Si) | ruim (em altas temperaturas, o SiC reage com o Si para formar Si₂C na fase gasosa) |
| risco de poluição por partículas | Risco muito baixo de contaminação por partículas (revestimento denso sem poros) | Alta (revestimento propenso a descascamento localizado) |
| Lifetime | Vida útil > 5000 horas (ciclo de manutenção prolongado superior a 50%) | Sobre as horas 2000-3000 |
Compatibilidade de produção
Adaptado às plataformas Aixtron G5 WW C e Prophet, ele pode transportar wafers de 6/8 polegadas com capacidade para mais de 30 wafers por lote.
Valor técnico e importância para a indústria
O susceptor planetário revestido com grafite e carboneto de tântalo resolve o principal problema do revestimento tradicional de SiC em processos de alta temperatura de longa duração:
Otimização de custos: prolongar o ciclo de substituição de consumíveis e reduzir o custo epitaxial de uma única peça em mais de 20%;
Melhoria do rendimento: redução da poluição por partículas e do efeito de ponto quente, e promoção de um rendimento de folhas epitaxiais superior a 95%;
Ampliação da janela de processo: suporta taxas de crescimento mais elevadas (> 50 μm/h) e camadas epitaxiais mais espessas.
À medida que a capacidade global de produção de SiC for atualizada para 8 polegadas, essa tecnologia será fundamental para superar o gargalo da consistência epitaxial.
Especificações
| Propriedades físicas do revestimento TaC | |
| Densidade | 14.3 (g/cm³) |
| Emissividade específica | 0.3 |
| Coeficiente de expansão térmica | 6.3 10-6/K |
| Dureza (HK) | 2000 HK |
| Resistência | 1×10-5 Ohm*cm |
| Estabilidade térmica | |
| Mudanças no tamanho do grafite | -10~-20um |
| Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um±10um) |
| Condutividade térmica: | 9-22 (W/m·K) |
| Propriedades físicas da grafite isostática | ||
| Propriedade | Unidade | Valor típico |
| Densidade aparente | g / cm³ | 1.83 |
| Dureza: | HSD | 58 |
| Resistividade elétrica | μΩ.m | 10 |
| Força Flexural | MPa | 47 |
| Força compressiva | MPa | 103 |
| Resistência à Tração | MPa | 31 |
| Módulo de Young | GPa | 11.8 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Condutividade térmica | W·m-1·K-1 | 130 |
| Tamanho médio do grão | mm | 8-10 |
Aplicações
epitaxia de dispositivos de potência de carboneto de silício
É adequado para o crescimento epitaxial homogêneo de 4H-SiC, utilizado na fabricação de dispositivos MOSFET e IGBT de alta tensão acima de 1200V.
A demanda por veículos de novas energias, inversores fotovoltaicos, transporte ferroviário e outras áreas aumentou consideravelmente.
Desenvolvimento de semicondutores de terceira geração
Suporta o processo de heteroepitaxia GaN-on-SiC para dispositivos de radiofrequência 5G e chips de comunicação em ondas milimétricas.
Vantagem competitiva
Resumo das principais vantagens:
O revestimento de TaC é superior ao revestimento tradicional de SiC em termos de resistência à corrosão em altas temperaturas, compatibilidade térmica e longa vida útil, sendo especialmente adequado para ambientes de enriquecimento de vapor de silício no crescimento epitaxial de SiC.
Resistência ao calor extremo:
A estrutura permanece estável a 2000°C para evitar a contaminação da câmara de reação por volatilização do revestimento.
Resistência química:
Resistência eficaz à erosão causada por gases precursores como SiH₄ e HCl. Reduz defeitos superficiais no substrato.
Uniformidade do campo térmico:
A condutividade térmica da estrutura composta de grafite + TaC é próxima à da pastilha de SiC (SiC: 490 W/m·K), reduzindo a distorção da rede cristalina causada pelo estresse térmico.
Baixa emissão de poluentes:
A rugosidade superficial do revestimento de TaC é inferior a 1 μm, o que pode inibir o desprendimento de micropartículas e garantir a qualidade da superfície da camada epitaxial (densidade de defeitos < 0.5/cm²).
