EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Coletor superior revestido com SiC para Aixtron
O coletor superior revestido com SiC da Semixlab para Aixtron é um componente essencial, projetado especificamente para sistemas MOCVD da Aixtron. Ele utiliza um revestimento de carbeto de silício (SiC) de alta pureza e apresenta excelente resistência a altas temperaturas, à corrosão e à estabilidade térmica. Como componente fundamental para o controle da contaminação e a manutenção da uniformidade térmica na cavidade epitaxial, desempenha um papel insubstituível no processo de crescimento epitaxial de materiais semicondutores de terceira geração, como GaN e SiC. Este produto não só reduz eficazmente a contaminação por partículas e melhora a qualidade da camada epitaxial, como também prolonga significativamente o ciclo de operação do equipamento. É uma solução fundamental para garantir processos epitaxiais eficientes e confiáveis.
Descrição
Com anos de experiência na produção de revestimentos de TaC e SiC, a Semixlab oferece uma ampla gama de coletores com revestimento de SiC, incluindo topos, centros e fundos para sistemas Aixtron. Nossos coletores com revestimento de SiC de alta qualidade atendem a diversas aplicações. Caso tenha interesse, entre em contato conosco para obter suporte online sobre coletores com revestimento de carbeto de silício. Além da lista de produtos abaixo, você também pode personalizar seu próprio coletor com revestimento de SiC de acordo com suas necessidades específicas.
O coletor de revestimento de SiC (parte superior), o coletor de revestimento de SiC (centro) e o coletor de revestimento de SiC (parte inferior) são os três componentes básicos usados no processo de fabricação de semicondutores. Vamos discutir cada produto separadamente:
1. Tampa coletora com revestimento de SiC
A parte superior do coletor revestida com carbeto de silício (SiC) da Aixtron desempenha um papel crucial no processo de deposição de semicondutores. Ela atua como uma estrutura de suporte para o material depositado, ajudando a manter a uniformidade e a estabilidade durante a deposição. Também auxilia no gerenciamento térmico, dissipando eficazmente o calor gerado durante o processo. A parte superior do coletor garante o correto posicionamento e distribuição do material depositado, resultando em um crescimento de filme consistente e de alta qualidade.
2. Centro coletor revestido com SiC
1) Função de direcionamento do fluxo de ar: Localizado no centro da câmara de reação, o Centro Coletor Revestido com SiC ajuda a otimizar a distribuição do campo de fluxo de gás no processo MOCVD, melhorando assim a uniformidade da deposição epitaxial.
2) Inibir a geração de partículas de impureza: O centro é a área onde a concentração dos reagentes precursores e o acúmulo de subprodutos são relativamente altos. O uso de revestimento de SiC pode reduzir efetivamente a adesão de sedimentos e o risco de contaminação por partículas.
3. Fundo do coletor revestido com SiC
1) Área de coleta de sedimentos: Localizada na parte inferior da câmara de reação, sua principal função é coletar o excesso de precursores e subprodutos para evitar que sejam reciclados ou formem contaminação.
2) Função de suporte estrutural e blindagem térmica: A estrutura inferior precisa suportar o peso do equipamento e o estresse térmico. A resistência e a estabilidade térmica do SiC garantem que ele não se deforme ou se desprenda durante o uso prolongado.
O revestimento de SiC na parte superior, central e inferior do coletor proporciona excelentes capacidades de gerenciamento térmico, garantindo dissipação de calor eficiente e mantendo temperaturas de processo ideais. Também apresenta excelente resistência química, protegendo os componentes de ambientes corrosivos e prolongando sua vida útil. As propriedades dos revestimentos de SiC contribuem para melhorar a estabilidade dos processos de fabricação de semicondutores, reduzir defeitos e aprimorar a qualidade do filme.
Especificações
| Propriedades físicas básicas do revestimento de SiC CVD | |
| Propriedade | Valor típico |
| Estrutura de cristal | Policristalino da fase β FCC, principalmente com orientação (111). |
| Densidade | 3.21 g / cm³ |
| Dureza: | Dureza Vickers de 2500 (carga de 500g) |
| Tamanho do grão | 2 ~ 10μm |
| Pureza Química | 99.99995% |
| Capacidade de calor | 640 J · kg-1·K-1 |
| Temperatura de sublimação | 2700 ℃ |
| Força Flexural | 415 MPa RT 4 pontos |
| Módulo de Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
| Expansão Térmica (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Propriedades físicas básicas do revestimento de SiC CVD
Aplicações
Visão geral da cadeia produtiva da epitaxia de chips semicondutores:
Loja de produtos Semixlab
Lojas de produtos Semixlab
