Tubo de forno de difusão de quartzo de alta pureza

O tubo de quartzo de alta pureza para forno de difusão é especialmente projetado para processos de difusão em alta temperatura na fabricação de wafers semicondutores. É fabricado com areia de quartzo sintético de ultra-alta pureza (SiO₂).₂Pureza ≥99.999%). Atende aos rigorosos requisitos de limpeza, estabilidade térmica e inércia química de processos avançados abaixo de 7nm. Os produtos são fabricados por meio de processo de fusão por arco e tecnologia de usinagem de precisão, garantindo a estabilidade da estrutura em ambientes de alta temperatura de 1200℃, sendo amplamente utilizados em dopagem com fósforo/boro, crescimento de óxidos e outros processos-chave.

Materiais e características principais

Material de altíssima pureza

Pureza de SiO₂: ≥99.999% (grau 5N), teor total de impurezas ≤2 ppm (em conformidade com a norma SEMI F63).

Controle de impurezas principais: Li+Na+K≤0.5ppm, Fe≤0.1ppm, Al≤0.3ppm, B≤0.05ppm (evitar interferência de dopagem).

Teor de hidroxila: ≤1 ppm (após tratamento de desidroxilação para evitar defeitos no wafer causados ​​pela liberação de hidrogênio em alta temperatura).

Otimização do desempenho térmico

Coeficiente de expansão térmica: 5.5×10^-7K^-1(20-1000 °C), evitando fissuras por deformação causadas por mudanças bruscas de temperatura.

Ponto de amolecimento: 1680℃, temperatura de trabalho a longo prazo ≤1250℃ (suporta processo de aquecimento e resfriamento rápidos).

Resistência ao choque térmico: suporta ciclos de resfriamento rápido de 1200℃ à temperatura ambiente ≥200 vezes (verificado pela norma ASTM C338).

Inércia química e limpeza

Resistência à corrosão: resistente a HF, HCl, HNO₃ e outros ácidos fortes (taxa de perda de peso ≤0.005 mg/cm²·h).

Limpeza da superfície: Ra≤0.1μm (polimento CMP), partículas ≤5/m2 (@0.1μm, em conformidade com a Classe 1 da ISO).

Controle da poluição por metais: resíduo metálico na superfície ≤0.1 ppb (detecção por ICP-MS).

Detalhe rápido:

1. Outros nomes: tubo de reação de quartzo, tubo de forno de alta temperatura.

2. Aplicação: Processo de difusão em wafers.

3. Parâmetros principais: Pureza ≥99.995%, resistência à temperatura de 1600℃, diâmetro interno de 20 a 300 mm.

Dopagem por difusão em alta temperatura.

Difusão de fonte de estado sólido de fósforo/boro (1000-1200℃).

Processo de recozimento térmico rápido (RTA) (taxa de aquecimento/resfriamento ≥100℃/s).

Pureza ultra-elevada e resistência à cristalização prolongam a vida útil do tubo do forno.

Apoiar o projeto de estruturas complexas, adaptando-se a diversos requisitos de processo.

Controle rigoroso de tolerância dimensional (±0.5 mm).