Mandril de vácuo de cerâmica porosa

O mandril de vácuo cerâmico é um dispositivo de adsorção a vácuo de alto desempenho, projetado para a adsorção e fixação precisa de wafers e lingotes. Adota uma estrutura composta de cerâmica porosa + anel externo de metal, combinada com um design personalizado de canais de ar e poros para alcançar uma distribuição uniforme da força de adsorção e alta estabilidade. Adequado para fabricação de semicondutores, corte de wafers, usinagem de precisão e outros cenários, suporta ambientes de alta temperatura e alta velocidade de movimento, podendo atender aos requisitos de compatibilidade de wafers/lingotes de diversos tamanhos.

serviço personalizado

Personalização de tamanho e carga

Estômatos e otimização das vias aéreas

Adaptação a ambientes especiais

Exemplo de design

Fabricação de semicondutores

Crescimento epitaxial: adsorção estável de wafers de SiC em altas temperaturas para evitar deformações e contaminação.

Litografia e corrosão: Posicionamento preciso na plataforma móvel de alta velocidade (aceleração ≤10G) para garantir a precisão do alinhamento gráfico.

Processamento de lingotes

Corte e retificação: Adsorção de lingotes de cristal pesado (como safira, lingotes de carboneto de silício) para suprimir rachaduras nas bordas causadas por vibração.

Pesquisa científica e tecnologia especial

Recozimento em alta temperatura: ventosas de carbeto de silício poroso funcionam por longos períodos a 1600°C, sem deformação e sem liberar poluentes.

Revestimento a vácuo: Design com alta estanqueidade ao ar, compatível com o ambiente de cavidades PVD/CVD.

Vantagens da estrutura central e dos materiais

1. Projeto de compósitos multicamadas

Camada superficial: Cerâmica porosa (opcionalmente carbeto de silício poroso ou grafite poroso), com abertura ajustável (10-200 μm) para garantir a transferência uniforme da força de adsorção para a superfície do wafer, evitando a concentração de tensão local.

Matriz: Estrutura metálica altamente rígida (aço inoxidável ou liga de alumínio) para fornecer suporte estrutural e vedação hermética.

Vias aéreas e poros: A rede interna de vias aéreas precisamente projetadas e microporos uniformemente distribuídos permite uma extração a vácuo rápida (força de adsorção de até -90 kPa) e liberação instantânea.

2. Comparação das propriedades dos materiais

3. Principais parâmetros técnicos e de desempenho

P: Como escolher entre placas de carboneto de silício poroso e placas de grafite porosa? Quais são as principais diferenças entre placas de carboneto de silício poroso e placas de grafite porosa em processos de alta temperatura? Como escolher o material certo para o cenário de aplicação?

A: Mandril de carboneto de silício poroso:

Resistência à temperatura: pode operar de forma estável em temperaturas extremamente altas ≤1600°C (como epitaxia de SiC, recozimento em alta temperatura), excelente resistência ao choque térmico, adequado para ambientes com flutuações drásticas de temperatura.

Resistência à corrosão: resiste à erosão por ácidos fortes, álcalis e plasma, sendo adequado para processos de gravação, implantação iônica e outros processos com gases corrosivos.

Chuck de grafite poroso:

Condutividade térmica: Alta condutividade térmica (200-400 W/m·K), adequada para cenários que exigem rápida transferência de calor (como dissipação de calor no corte de wafers).

Econômico: Baixo custo, adequado para ambientes com temperatura média de ≤800°C (como embalagens e moagem).

Sugestões de seleção:

Se a temperatura do processo for superior a 800 °C ou se for necessária resistência à corrosão, o carbeto de silício poroso é preferível; se o objetivo for custo-benefício e baixa temperatura de processo, pode-se optar pelo grafite poroso.