Barco de wafer de quartzo semicondutor
Detalhe rápido:
1. Outros nomes: Tanque de quartzo para semicondutores, banho de quartzo para semicondutores, tanque de quartzo para semicondutores.
2. Aplicação: O recipiente para wafers de quartzo semicondutor é utilizado em processos de alta temperatura, como difusão, oxidação, CVD, recozimento, etc., na fabricação de semicondutores.
3. Parâmetros principais:
Quartzo de ultra-alta pureza (>99.99% SiO₂): evita a contaminação por íons metálicos (Na +, K +, Fe³+, etc.) e atende aos requisitos de limpeza de processos avançados (nós <5nm).
Resistência a altas temperaturas: temperatura de trabalho contínua de 1200℃, resistência instantânea a temperaturas de 1300℃.
Quimicamente inerte: Resistente a gases de processo como HCl, H₂, O₂, SiH₄ e ambientes ácidos/alcalinos. Não corrosivo para uso a longo prazo.
Descrição
Os suportes para wafers de quartzo da Semixlab Semiconductor são ferramentas essenciais projetadas para processos de alta temperatura, como difusão, oxidação, CVD, recozimento, etc., na fabricação de semicondutores. Feitos de quartzo sintético de alta pureza com excelente resistência a altas temperaturas, estabilidade química e baixo coeficiente de expansão térmica, eles podem transportar wafers com segurança em ambientes de processo severos, garantindo a consistência do processo e o rendimento do produto.
Equipamentos aplicáveis: Compatível com todos os tipos de fornos de difusão horizontal/vertical, sistemas LPCVD e equipamentos de tratamento térmico rápido (RTP).
A garantia de qualidade
Strict quality control: 100% helium mass spectrometry leak detection (leakage rate <1×10⁻⁹ mbar·L/s). Material purity report (ICP-MS test) is issued for each batch.
Normas de certificação: Em conformidade com as especificações SEMI F47, através da certificação do sistema de gestão da qualidade ISO 9001:2015.
Vida útil: a vida útil média em condições normais é superior a 2 anos (dependendo da frequência do processo e das condições de temperatura).
Por que escolher nosso barco de quartzo?
Serviços personalizados: Dimensões e construções personalizadas de acordo com o modelo do equipamento (TEL, Kokusai, ASM, etc.) e os requisitos do processo.
Resposta rápida: O prazo de entrega padrão é de 3 semanas, mas para pedidos urgentes, o prazo pode ser reduzido para 10 dias úteis.
Rede global de serviços: Oferecemos consultoria técnica, orientação para instalação e suporte de manutenção pós-venda. Especificações do material.
Especificações
Especificação do projeto
Síntese de materiais: Quartzo fundido
Pureza ≥99.99% SiO₂
Compatibilidade com tamanhos de wafer: 8" e 12" (pode ser personalizado para 6" ou 18").
Temperatura de operação ≤1200°C (contínua) / 1300°C (pico)
Coeficiente de expansão térmica (CTE) 0.55×10⁻⁶/°C (20-1000°C)
Rugosidade da superfície (Ra) ≤0.2 μm
Capacidade padrão de 25/50/100 comprimidos
Gases de processo aplicáveis: O₂, N₂, H₂, Ar, SiH₄, HCl, etc.
| propriedade mecânica | Densidade (g/cm3) | 2.2 |
| Dureza de Mohs | 6-7 | |
| Resistência à compressão (MPa) | 1100 | |
| Resistência à tração (N/mm²)2) | 50 | |
| Resistência à flexão (N/mm²)2) | 65 | |
| Resistência à torção (N/mm²)2) | 30 | |
| Módulo de Young (MPa) | 7.2x104 | |
| Coeficiente de Poisson | 0.16 | |
| Propriedades térmicas | Coeficiente de expansão térmica (20~320℃,k)-1) | 5.5x10-7 |
| Condutividade térmica (20℃, W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Calor específico (20℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Ponto de amolecimento (℃) | 1700 | |
| Ponto de recozimento (℃) | 1180 | |
| Ponto de tensão (℃) | 1080 | |
| Propriedade elétrica | Resistividade elétrica (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Constante dielétrica (10 GHz) | 3.74 | |
| Perda dielétrica (10 GHz) | 0.0002 | |
| Rigidez dielétrica (V)·m-1) | 3.7x107 |
Aplicações
Oxidação/difusão em alta temperatura: dopagem de silício (difusão de fósforo e boro), crescimento de óxido de porta.
Deposição de filmes finos: silício policristalino por LPCVD, deposição de nitreto de silício (Si₃N₄).
Processo de recozimento: recozimento após implantação iônica (RTA), liga metálica.
Semicondutor de terceira geração: processo de epitaxia de carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
Vantagem competitiva
1. Características do material
Quartzo de ultra-alta pureza (>99.99% SiO₂): evita a contaminação por íons metálicos (Na +, K +, Fe³ +, etc.) e atende aos requisitos de limpeza para processos avançados (nós <5nm).
Resistência a altas temperaturas: temperatura de operação contínua de 1200°C, resistência instantânea a temperaturas de 1300°C, sem risco de deformação ou cristalização.
Inércia química: Resiste a gases de processo como HCl, H₂, O₂, SiH₄ e a ambientes ácidos/alcalinos. Não corrosivo em uso prolongado.

2. Design de precisão
Otimizar a estrutura:
A precisão do espaçamento entre as ranhuras é de ±0.05 mm, garantindo o posicionamento preciso do wafer (8/12 polegadas) e evitando arranhões ou deslocamentos.
Design resistente a choques térmicos, adaptável a ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento (taxa de aquecimento ≤20°C/min).
Baixa formação de partículas: A superfície é polida com ultraprecisão (Ra ≤0.2μm) para reduzir a adesão e o desprendimento de partículas.
3. Configuração diversificada
Capacidade opcional: Suporta 25, 50, 100 peças e outras especificações padrão, podendo também ser personalizada com um número de slots não padrão.
Adaptação de tipo: Embarcação aberta, embarcação fechada ou tipo de embarcação especial (como, por exemplo, projeto de canal de desvio no fundo do barco).

Perguntas frequentes
P1: Vocês fornecem tamanhos não padronizados ou designs especiais?
A1: A Semixlab oferece suporte a serviços personalizados, incluindo ajuste de tamanho, limite superior de temperatura (requer atualização de material) ou tipo de interface. Entre em contato com a equipe técnica da Semixlab para requisitos específicos.
Q2: Quanto tempo é o prazo de entrega?
A2: O prazo de entrega para produtos padrão é de 4 a 6 semanas, e o tempo de projeto e verificação para produtos personalizados é de 2 a 3 semanas.
P3: Vocês oferecem suporte técnico pós-venda?
A3: Sim, oferecemos consultoria técnica vitalícia e serviços de resposta a emergências. Em caso de problemas de instalação ou uso, a equipe de suporte pode ser contatada a qualquer momento por e-mail ou telefone.
Q4: O produto atende aos padrões da indústria de semicondutores?
A4: Sim, o processo de produção está em conformidade com as normas SEMI e é certificado pelo sistema de gestão da qualidade ISO 9001. Cada lote é testado quanto à estanqueidade, resistência à temperatura e pureza antes de sair da fábrica.


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