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Peças de quartzo
Anel de aterramento do isolador de quartzo AMAT 0200-15699
Anel de aterramento do isolador de quartzo AMAT 0200-15699

0200-15699 Anel de Aterramento Isolador de Quartzo


O anel de aterramento isolador de quartzo AMAT 0200-15699 é um componente de quartzo de alta pureza projetado para isolamento elétrico e aterramento controlado em câmaras de gravação a plasma de 200 mm. Fabricado pela Semixlab Technology com quartzo de ultra-alta pureza e usinagem de precisão, e instalado próximo ao suporte eletrostático (ESC) e às estruturas de eletrodos de RF, este anel minimiza a geração de partículas e a contaminação, proporcionando confiabilidade a longo prazo para fábricas de semicondutores. É uma solução ideal para peças de reposição compatíveis com OEMs em sistemas avançados de processamento a plasma. Aguardamos seu contato.

Descrição

O anel de aterramento isolador de quartzo AMAT 0200-15699 é um componente de quartzo fundido de alta pureza projetado para fornecer isolamento elétrico e aterramento controlado em equipamentos de processamento de plasma semicondutor. Ele combina as funções de um isolante dielétrico e uma interface de aterramento, tornando-se uma parte crítica da arquitetura elétrica da câmara.

Projetado para uso em sistemas de gravação, CVD e PVD, este componente opera em ambientes caracterizados por:

● Potência de radiofrequência de alta frequência

● Exposição a plasma de alta energia

● Químicas de processos reativos

● Ciclos térmicos repetidos

Diferentemente das peças de proteção de quartzo padrão, este anel de aterramento desempenha um papel elétrico crítico no processo, influenciando diretamente a estabilidade do plasma, a distribuição do campo de radiofrequência e a repetibilidade do processo.

Na Semixlab Technology, o anel de aterramento com isolador de quartzo é fabricado com:

● Quartzo de ultra-alta pureza para minimizar riscos de contaminação e condutividade

● Usinagem de precisão para garantir espaçamento elétrico consistente e compatibilidade com o fabricante original.

● Acabamento de superfície controlado para reduzir a geração de partículas e a instabilidade elétrica

Isso garante um desempenho confiável em ambientes avançados de fabricação de semicondutores.

Cargo em Equipamentos e Função

Posição de Instalação

O anel de aterramento com isolador de quartzo é normalmente instalado da seguinte forma:

Ao redor do perímetro do mandril eletrostático (ESC)

Estruturas de eletrodos de RF próximas

Na interface entre regiões expostas ao plasma e componentes aterrados

Está localizado dentro do limite da bainha de plasma e da zona de interação do campo de radiofrequência, onde o controle elétrico preciso é essencial.

Funções do núcleo

1. Isolamento Elétrico (Barreira Dielétrica)

O material de quartzo atua como um dielétrico de alto desempenho, proporcionando:

● Isolamento entre componentes condutores

● Prevenção de trajetórias de corrente não intencionais

● Proteção contra curto-circuitos elétricos

2. Caminho de Aterramento Controlado

Como parte da estrutura de aterramento, o anel:

● Estabelece um potencial de referência estável

● Regula os caminhos de retorno da corrente dentro da câmara

3. Estabilidade do plasma e controle do campo de radiofrequência

Ao definir limites elétricos, o componente ajuda a:

● Estabilizar a distribuição da densidade do plasma

● Manter a energia e a trajetória dos íons consistentes perto do wafer

4. Supressão de Arco Elétrico e Confiabilidade Elétrica

O isolamento e o aterramento adequados reduzem a concentração localizada do campo elétrico, ajudando a:

● Minimizar a formação de arcos elétricos (descarga de arco)

● Evitar danos à câmara e interrupções do processo

Modos de falha comuns

Como componente crítico exposto a estresse elétrico e ambientes de plasma, o anel de aterramento do isolador de quartzo está sujeito a diversos mecanismos de degradação:

1. Degradação elétrica e condutividade superficial

● A contaminação (resíduos metálicos ou de processo) pode criar caminhos condutores.

● O desempenho dielétrico pode degradar-se com o tempo.

Impacto: Comportamento instável de radiofrequência, aumento do risco de correntes de fuga ou formação de arcos elétricos.

2. Erosão Induzida por Plasma

● O bombardeio iônico leva ao aumento da rugosidade da superfície.

● A perda de material altera o espaçamento elétrico e a distribuição do campo.

Impacto: Controle reduzido sobre o comportamento do plasma e aumento da variabilidade do processo.

3. Contaminação e Deposição de Metais

● Deposição de materiais condutores em superfícies de quartzo

● Alteração das propriedades isolantes

Impacto: Potencial falha de aterramento e instabilidade elétrica.

4. Fissuração por estresse térmico

● Ciclos repetidos de aquecimento e resfriamento induzem estresse interno

● Microfissuras podem se desenvolver e se propagar

Impacto: Falha mecânica e tempo de inatividade inesperado.

5. Geração de partículas devido ao envelhecimento do material

● A exposição prolongada enfraquece a estrutura do quartzo.

● Microfraturas liberam partículas na câmara

Impacto: Perda de rendimento e aumento de defeitos em dispositivos semicondutores.

Por que escolher a tecnologia Semixlab?

Com profundo conhecimento em materiais semicondutores e componentes de processo, a Semixlab Technology oferece soluções de quartzo de alto desempenho, personalizadas para ambientes de plasma avançados:

● Materiais de altíssima pureza para isolamento elétrico superior e controle de contaminação

● Projetos de engenharia de precisão para interação estável entre radiofrequência e plasma

● Vida útil prolongada para reduzir o custo total de propriedade (CTP)

● Fabricação compatível com OEM para integração perfeita com os sistemas AMAT

Nossos anéis de aterramento com isoladores de quartzo são a escolha de fabricantes de semicondutores que buscam alternativas confiáveis ​​e de alta qualidade para componentes elétricos críticos.

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