0200-15699 Anel de Aterramento Isolador de Quartzo
O anel de aterramento isolador de quartzo AMAT 0200-15699 é um componente de quartzo de alta pureza projetado para isolamento elétrico e aterramento controlado em câmaras de gravação a plasma de 200 mm. Fabricado pela Semixlab Technology com quartzo de ultra-alta pureza e usinagem de precisão, e instalado próximo ao suporte eletrostático (ESC) e às estruturas de eletrodos de RF, este anel minimiza a geração de partículas e a contaminação, proporcionando confiabilidade a longo prazo para fábricas de semicondutores. É uma solução ideal para peças de reposição compatíveis com OEMs em sistemas avançados de processamento a plasma. Aguardamos seu contato.
Descrição
O anel de aterramento isolador de quartzo AMAT 0200-15699 é um componente de quartzo fundido de alta pureza projetado para fornecer isolamento elétrico e aterramento controlado em equipamentos de processamento de plasma semicondutor. Ele combina as funções de um isolante dielétrico e uma interface de aterramento, tornando-se uma parte crítica da arquitetura elétrica da câmara.
Projetado para uso em sistemas de gravação, CVD e PVD, este componente opera em ambientes caracterizados por:
● Potência de radiofrequência de alta frequência
● Exposição a plasma de alta energia
● Químicas de processos reativos
● Ciclos térmicos repetidos
Diferentemente das peças de proteção de quartzo padrão, este anel de aterramento desempenha um papel elétrico crítico no processo, influenciando diretamente a estabilidade do plasma, a distribuição do campo de radiofrequência e a repetibilidade do processo.
Na Semixlab Technology, o anel de aterramento com isolador de quartzo é fabricado com:
● Quartzo de ultra-alta pureza para minimizar riscos de contaminação e condutividade
● Usinagem de precisão para garantir espaçamento elétrico consistente e compatibilidade com o fabricante original.
● Acabamento de superfície controlado para reduzir a geração de partículas e a instabilidade elétrica
Isso garante um desempenho confiável em ambientes avançados de fabricação de semicondutores.
Cargo em Equipamentos e Função
Posição de Instalação
O anel de aterramento com isolador de quartzo é normalmente instalado da seguinte forma:
Ao redor do perímetro do mandril eletrostático (ESC)
Estruturas de eletrodos de RF próximas
Na interface entre regiões expostas ao plasma e componentes aterrados
Está localizado dentro do limite da bainha de plasma e da zona de interação do campo de radiofrequência, onde o controle elétrico preciso é essencial.
Funções do núcleo
1. Isolamento Elétrico (Barreira Dielétrica)
O material de quartzo atua como um dielétrico de alto desempenho, proporcionando:
● Isolamento entre componentes condutores
● Prevenção de trajetórias de corrente não intencionais
● Proteção contra curto-circuitos elétricos
2. Caminho de Aterramento Controlado
Como parte da estrutura de aterramento, o anel:
● Estabelece um potencial de referência estável
● Regula os caminhos de retorno da corrente dentro da câmara
3. Estabilidade do plasma e controle do campo de radiofrequência
Ao definir limites elétricos, o componente ajuda a:
● Estabilizar a distribuição da densidade do plasma
● Manter a energia e a trajetória dos íons consistentes perto do wafer
4. Supressão de Arco Elétrico e Confiabilidade Elétrica
O isolamento e o aterramento adequados reduzem a concentração localizada do campo elétrico, ajudando a:
● Minimizar a formação de arcos elétricos (descarga de arco)
● Evitar danos à câmara e interrupções do processo
Modos de falha comuns
Como componente crítico exposto a estresse elétrico e ambientes de plasma, o anel de aterramento do isolador de quartzo está sujeito a diversos mecanismos de degradação:
1. Degradação elétrica e condutividade superficial
● A contaminação (resíduos metálicos ou de processo) pode criar caminhos condutores.
● O desempenho dielétrico pode degradar-se com o tempo.
Impacto: Comportamento instável de radiofrequência, aumento do risco de correntes de fuga ou formação de arcos elétricos.
2. Erosão Induzida por Plasma
● O bombardeio iônico leva ao aumento da rugosidade da superfície.
● A perda de material altera o espaçamento elétrico e a distribuição do campo.
Impacto: Controle reduzido sobre o comportamento do plasma e aumento da variabilidade do processo.
3. Contaminação e Deposição de Metais
● Deposição de materiais condutores em superfícies de quartzo
● Alteração das propriedades isolantes
Impacto: Potencial falha de aterramento e instabilidade elétrica.
4. Fissuração por estresse térmico
● Ciclos repetidos de aquecimento e resfriamento induzem estresse interno
● Microfissuras podem se desenvolver e se propagar
Impacto: Falha mecânica e tempo de inatividade inesperado.
5. Geração de partículas devido ao envelhecimento do material
● A exposição prolongada enfraquece a estrutura do quartzo.
● Microfraturas liberam partículas na câmara
Impacto: Perda de rendimento e aumento de defeitos em dispositivos semicondutores.
Por que escolher a tecnologia Semixlab?
Com profundo conhecimento em materiais semicondutores e componentes de processo, a Semixlab Technology oferece soluções de quartzo de alto desempenho, personalizadas para ambientes de plasma avançados:
● Materiais de altíssima pureza para isolamento elétrico superior e controle de contaminação
● Projetos de engenharia de precisão para interação estável entre radiofrequência e plasma
● Vida útil prolongada para reduzir o custo total de propriedade (CTP)
● Fabricação compatível com OEM para integração perfeita com os sistemas AMAT
Nossos anéis de aterramento com isoladores de quartzo são a escolha de fabricantes de semicondutores que buscam alternativas confiáveis e de alta qualidade para componentes elétricos críticos.
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