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Graphite
grafite poroso de alta pureza
grafite poroso de alta pureza

grafite poroso de alta pureza


O grafite poroso de alta pureza da Semixlab é um material de alto desempenho projetado para processos avançados de fabricação de semicondutores, incluindo epitaxia, difusão e oxidação, e CVD. Com níveis de impurezas ultrabaixos e uma microestrutura porosa cuidadosamente controlada, oferece uniformidade térmica superior, estabilidade química e controle de contaminação sob condições extremas de alta temperatura. Amplamente utilizado em susceptores, suportes de wafers, aquecedores e componentes de câmaras, o grafite poroso da Semixlab proporciona ambientes de processo estáveis, maior consistência de rendimento e vida útil prolongada de equipamentos em tecnologias de semicondutores de silício, SiC e GaN. Aguardamos seu contato.

Descrição

O grafite poroso de alta pureza é um material essencial para a fabricação avançada de semicondutores, onde sua excepcional estabilidade térmica, níveis ultrabaixos de contaminação e consistência do processo são fundamentais. As soluções de grafite poroso de alta pureza da Semixlab são projetadas especificamente para processos de semicondutores de alta temperatura e sensíveis à contaminação.

Em processos de epitaxia, o grafite poroso de alta pureza é amplamente utilizado em componentes-chave, como suportes de substrato, transportadores de wafers, estruturas de distribuição de gás e elementos de campo térmico. Durante o crescimento epitaxial de Si, SiC e GaN, a uniformidade precisa da temperatura e o fluxo de gás estável são fatores críticos para o controle da espessura do filme, a uniformidade da dopagem e a supressão de defeitos. A microestrutura porosa do grafite da Semixlab permite uma distribuição térmica mais uniforme e uma difusão de gás controlada na superfície do wafer, reduzindo assim a instabilidade da camada limite e os efeitos de borda.

Durante processos de difusão e oxidação que exigem operação contínua acima de 1000 °C, o grafite poroso de alta pureza serve como um material estrutural e de suporte confiável para bases de wafers, revestimentos e componentes de isolamento térmico. Comparado ao grafite denso, sua estrutura porosa atenua o estresse térmico e a deformação durante ciclos térmicos repetidos, aumentando a estabilidade dimensional e prolongando a vida útil do componente. Sua inércia química inerente e baixo teor de impurezas ajudam a manter um ambiente de processo limpo, permitindo um controle rigoroso sobre os perfis de difusão de dopantes e a qualidade do filme de óxido, minimizando os riscos de geração de partículas e contaminação cruzada.

Para os processos CVD, LPCVD e PECVD, o grafite poroso de alta pureza desempenha um papel crucial em aquecedores, suportes de wafers e componentes internos da câmara expostos a gases reativos e altas temperaturas. A excelente condutividade térmica do material garante uma transferência de calor rápida e uniforme, enquanto sua estrutura porosa permite o aprisionamento controlado de subprodutos da deposição, minimizando o desprendimento de partículas e a liberação de partículas durante a operação prolongada do equipamento. Isso contribui diretamente para uma maior estabilidade do processo, intervalos de manutenção mais longos e maior tempo de atividade do equipamento.

O grafite poroso de alta pureza da Semixlab é fabricado sob um rigoroso sistema de controle de qualidade, com gerenciamento meticuloso da seleção de matérias-primas, purificação e engenharia de microestrutura. Quando se exige maior vida útil ou operação em ambientes químicos mais exigentes, este produto é compatível com revestimentos protetores avançados, como SiC ou TaC. Aproveitando a excepcional flexibilidade de design, usinabilidade e tecnologia avançada de revestimento de semicondutores, nossas soluções podem ser precisamente adaptadas aos requisitos específicos da sua plataforma de equipamentos semicondutores e nó de processo. Esperamos sinceramente nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

Especificações
Propriedades físicas típicas do grafite poroso
item Parâmetro
Densidade aparente 0.89 g / cm2
resistência à compressão 8.27 MPa
Resistência à flexão 8.27 MPa
Resistência à tração 1.72 MPa
Resistência específica 130Ω-inX10-5
Porosidade 50%
Tamanho médio dos poros 70um
Condutividade Térmica 12W/M*K
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