Tubo de forno de carboneto de silício

A Semixlab fornece sistemas de tubos de forno de SiC de ultra-alta pureza, soluções de campo térmico de nível semicondutor com pureza de revestimento de 99.9999% e entrega de linha completa.

Proposta de valor central

Proporcionar um ambiente térmico com zero poluição para a fabricação de wafers: pureza de SiC de 99.9% no substrato + pureza de 99.9999% no revestimento CVD, combinados com um sistema completo de pás em balanço de SiC e barco de wafer, para alcançar zero poluição metálica na câmara de processo.

Nomes diferentes para os produtos:

Tubo de SiC para forno de alta temperatura; tubo de carbeto de silício; tubo de SiC de alta pureza; tubo de carbeto de silício para forno de difusão; tubo de carbeto de silício para processos de difusão e LPCVD; tubo de SiC para RTP; tubo de SiC para oxidação.

Especificações principais:

Pureza do material: O material base é o carbeto de silício com pureza superior a 99.9%, e a pureza após o revestimento por CVD é superior a 99.9999% (grau 6N).

Desempenho térmico: Temperatura máxima de operação 1650℃ (longo prazo), coeficiente de expansão térmica: 4.6×10⁻⁶/℃, uniformidade na zona de temperatura constante: ±1.5℃ (1200℃);

Resistência mecânica: Resistência à flexão de 450 MPa (à temperatura ambiente).

Principais usos

portador de campo térmico

Estabelecer um campo de temperatura estável e uniforme na faixa de 1200℃ a 1650℃ (a diferença de temperatura na zona de temperatura constante é ≤±1.5℃)

Garantir as condições termodinâmicas de processos como difusão, oxidação e recozimento.

Barreira de isolamento da poluição

Bloquear a difusão de íons metálicos (como Fe/Ni/Cu, etc.) através de materiais de alta pureza (como SiC).

Prevenir a contaminação cruzada entre os gases do processo e o ambiente externo.

Canal de gás de processo

Controle com precisão a direção e a distribuição do fluxo de gases de reação (como O₂/N₂/SiH₄, etc.)

Obter reações uniformes em fase gasosa na superfície do wafer (como o crescimento de SiO₂).

Revestimento fotovoltaico: Suporta o transporte de wafers pelo processo PECVD de células TOPCon/HJT.

Cenários de aplicação

● Epitaxia

● Oxidação/Difusão

● Processo LPCVD/PECVD

● Recozimento de semicondutores compostos III-V

Soluções para os principais problemas da indústria

Nossas soluções abordam os principais problemas enfrentados por nossos clientes:

1. Contaminação por partículas em processos de alta temperatura: o revestimento 6N bloqueia a precipitação de impurezas.

A substituição frequente de SiC em componentes de quartzo aumenta a resistência à corrosão em 8 vezes.

2. Projeto de consistência do coeficiente de expansão térmica (CTE) para compensar a incompatibilidade de expansão térmica dos componentes do campo térmico em toda a série de materiais de SiC.

3. Tratamento de superfície ultrapolida para remoção de contaminação metálica na parte posterior do wafer (Ra 0.2 μm).

Principais vantagens das especificações técnicas dos componentes:

1. Tubo de forno de SiC - Pureza do material base: 99.9% de carbeto de silício sinterizado

▶ A resistência ao choque térmico é triplicada (resfriamento rápido > 1600℃)

O coeficiente de expansão térmica é tão baixo quanto 4.6×10⁻⁶/℃

Revestimento em nanoescala - Deposição CVD de SiC de alta pureza de grau 6N (99.9999%)

▶ Bloquear a difusão de metais como Fe e Ni

▶ Rugosidade da superfície Ra < 0.5 μm

2. Base para wafer de SiC - Compatível com wafers de 12 polegadas

- Projeto de suporte de carga multicamadas

▶ Combinação térmica de 100% com os tubos do forno

A taxa de contaminação do wafer é inferior a 0.01 ppb.

3. Sistema de pás em balanço - substrato de grafite isostático + revestimento de SiC

- Precisão de alinhamento automático ±0.1 mm

▶ Vida útil de resistência à fluência > 100,000 vezes

A vibração de transmissão é inferior a 5 μm.

Destaques tecnológicos disruptivos

A Revolução da Pureza

Sistema de proteção de dois níveis

A camada base é composta por 99.9% de SiC → para construir uma estrutura de alta resistência.

A camada funcional de CVD-SiC de nível 6N forma uma vedação em nível atômico.
barreira

Controle de impurezas: Na/K < 0.1 ppm, metais pesados ​​< 5 ppb, atendendo aos requisitos de processos abaixo de 28 nm.

vantagem de sinergia do sistema

● Uniformidade do campo térmico: Design de acoplamento térmico triplo de tubo de forno + barco de wafers + pá, a diferença de temperatura na zona de temperatura constante (> 1200℃) é ≤±1.5℃

● Vida útil duplicada: A solução completa prolonga a vida útil em 40% em comparação com o sistema híbrido, com MTBA superior a 8,000 horas.