Barco de wafer de SiC de alta pureza

Na área de fabricação de semicondutores, os processos de alta temperatura representam desafios extremos para os suportes de wafers. Quando a temperatura ultrapassa 1600 °C, o suporte de quartzo tradicional (barco de quartzo utilizado para o wafer) começa a amolecer, deformar e liberar poluentes, fazendo com que a taxa de refugo de wafers dispare.

O substrato para wafers de SiC de alta pureza, com as vantagens inerentes do carboneto de silício (SiC), resolve completamente esse problema da indústria e se torna uma ferramenta essencial para a fabricação avançada de semicondutores, especialmente a produção de dispositivos de potência de SiC.

Principais propriedades físicas e parâmetros técnicos do produto:

O excelente desempenho do substrato de carbeto de silício (SiC Wafer Carrier) decorre de suas propriedades únicas de ciência dos materiais. Abaixo, segue uma comparação detalhada dos principais parâmetros físicos:

Esses parâmetros se traduzem diretamente em maior rendimento e custos reduzidos na fabricação de semicondutores, conforme mostrado a seguir:

Vantagem de desempenho térmico: A ampla banda proibida do SiC (3.26 eV) garante a manutenção de uma estrutura cristalina estável a 2000 °C e evita deformações térmicas. A alta condutividade térmica (4.9 W/cm·K) permite que o wafer seja aquecido de maneira mais uniforme e elimina defeitos na rede cristalina causados ​​por estresse térmico.

Resistência mecânica: A dureza de 9.2 na escala de Mohs resiste a impactos físicos durante o processo, e a vida útil é mais de 10 vezes superior à dos substratos de quartzo tradicionais. O design exclusivo com ranhuras semicirculares controla a tensão de contato do wafer para valores abaixo de 5 MPa, eliminando praticamente o fenômeno de deslizamento em altas temperaturas.

Inércia química: A tolerância a gases altamente corrosivos, como HF e HCl, ultrapassa 10,000 horas, e a poluição é zero nos processos de LPCVD, difusão, oxidação e outros.

O papel fundamental do wafer de SiC de alta pureza

Nosso suporte para wafers de SiC de alta pureza é amplamente utilizado nos seguintes processos-chave de fabricação de semicondutores:

Recozimento em Alta Temperatura: Na linha de produção de wafers de SiC, o recozimento em alta temperatura é uma etapa fundamental para ativar dopantes e reparar defeitos na estrutura cristalina. A estabilidade em altas temperaturas do substrato de SiC garante a uniformidade e a eficácia do processo de recozimento.

Crescimento Epitaxial: Seja epitaxia baseada em silício ou epitaxia em wafers de carbeto de silício, a alta resistência à temperatura e à corrosão do wafer de SiC o tornam um suporte ideal para garantir o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.

Difusão: No forno de difusão de alta temperatura, o suporte de wafers de SiC no molde de wafers LPCVD pode suportar tratamento térmico prolongado para garantir a difusão uniforme dos átomos dopantes e formar propriedades elétricas precisas.

Deposição de filme fino: Especialmente para aplicações de deposição química em fase vapor por plasma a laser (LPCVD), o baixíssimo desprendimento de partículas e a excelente condutividade térmica dos substratos de SiC contribuem para a obtenção de filmes de alta qualidade e uniformidade.

Compatibilidade de equipamentos e processos:

✔ Compatível com os principais fornos LPCVD (como TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, etc.)

✔ Especificações de wafer personalizáveis, como 100 mm/150 mm/200 mm

✔ Suporta instalação de equipamentos de processo horizontais e verticais

O suporte para wafers de SiC da Semixlab é a escolha ideal para melhorar a eficiência do seu processo e o rendimento do produto, sendo líder em soluções avançadas de suporte para wafers de semicondutores.

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