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Cerâmica SiC
Barco de wafer cerâmico de carboneto de silício
Barco de wafer cerâmico de carboneto de silício

Barco de wafer cerâmico de carboneto de silício


Lugar de origem: China
Marca: Semixlab
Número modelo: TC-SIC-WB-2501
Certificação: ISO 9001
Quantidade mínima: Unidade 1
Preço: Contato para orçamento personalizado
Detalhes da embalagem: Espuma antiestática + caixas de madeira (personalizáveis)
Tempo de entrega: Prazo de entrega: 30 a 45 dias após a confirmação do pedido.
Condições de pagamento: T / T
Habilidade da fonte: 100 unidades/mês
Descrição

O suporte para wafers de cerâmica de carbeto de silício é uma ferramenta de transporte de alto desempenho projetada para a fabricação de semicondutores e processos de energia fotovoltaica. É feito de material cerâmico de carbeto de silício (SiC) de alta pureza, produzido por um avançado processo de sinterização sem prensagem. Possui excelente resistência a altas temperaturas, estabilidade química e resistência mecânica, tornando-se um consumível essencial na transferência de wafers, recozimento em alta temperatura e outros processos de precisão.

1. Estabilidade em ambientes extremos

A estrutura molecular da cerâmica de silício confere-lhe uma estabilidade térmica ultra-elevada, permitindo-lhe manter a integridade estrutural em ambientes de alta temperatura contínua de 1650 °C. Comparado com materiais convencionais como o quartzo ou a alumina, o coeficiente de expansão térmica da cerâmica de silício é muito baixo (apenas 4.5 × 10⁻⁴).-6/°C), evitando efetivamente deformações ou fissuras causadas por mudanças bruscas de temperatura. Na fabricação de semicondutores, essa propriedade pode reduzir significativamente o desvio de deslocamento do wafer no processo de alta temperatura e melhorar o rendimento.

2. Resistência à corrosão incomparável

As cerâmicas de carbeto de silício apresentam forte resistência a ácidos fortes (como o ácido fluorídrico e o ácido sulfúrico), bases fortes e gases oxidantes (Cl₂, O₂). Mesmo em atmosfera de enxofre ou halogênio a 1400 °C, a superfície permanece lisa e livre de corrosão, garantindo que nenhuma contaminação permaneça na superfície do wafer.

3. Longa vida útil e benefícios econômicos

Graças ao processo exclusivo de tratamento de densificação superficial, a resistência ao desgaste do barco de carbeto de silício é mais de 15 vezes superior à dos materiais tradicionais. Os testes práticos demonstram que, após 1000 ciclos em atmosfera oxidante a 1400 °C, a rugosidade superficial permanece inferior a 0.2 μm (Ra), e o número de ciclos de operação pode ser de 5 a 8 vezes maior do que o de barcos cerâmicos comuns. Isso reduz significativamente a frequência de paradas e substituições do equipamento, resultando em uma economia de custos superior a 30%.

Detalhe rápido:

1. Outros nomes: barco de cristal de carbeto de silício, suporte cerâmico semicondutor.

2. Aplicação: Utilizado em processos de difusão, oxidação e recozimento em altas temperaturas na fabricação de semicondutores para suportar wafers de silício e garantir uma distribuição uniforme de calor.

3. Parâmetros principais: pureza ≥99.99%, resistência máxima à temperatura de 1500℃, baixo coeficiente de expansão térmica (4.5×10-6/℃), forte resistência ao choque térmico.

Especificações
Propriedades físicas do carboneto de silício sinterizado
Propriedade Valor típico
Composição química SiC>98%
Densidade aparente >3.07 g/cm³
Porosidade aparentePorosidade aparente
Módulo de ruptura a 20℃ 270 MPa
Módulo de ruptura a 1200℃ 290 MPa
Dureza a 20℃ 2400 kg/mm²
Tenacidade à fratura a 20% 3.3 MPa · m1/2
Condutividade térmica a 1200℃ 45 W/m·K
Expansão térmica a 20-1200℃ 4.5 × 10-6/ ℃
Temperatura máxima de trabalho 1400 ℃
Resistência ao choque térmico a 1200℃ Boa
Propriedades físicas do carbeto de silício recristalizado
Propriedade Valor típico
Temperatura de trabalho (° C) 1600°C (com oxigênio), 1700°C (ambiente redutor)
Conteúdo de SiC > 99.96%
Conteúdo Si gratuito <% 0.1
Densidade aparente 2.60-2.70 g/cm3
Porosidade aparente <% 16
resistência à compressão > 600 MPa
resistência à flexão a frio 80-90 MPa (20°C)
resistência à flexão a quente 90-100 MPa (1400°C)
Expansão térmica a 1500°C 4.7x10-6/ ° C
Condutividade térmica a 1200°C 23 W/m·K
Módulo elástico 240 GPa
Resistência ao choque térmico Extremamente bom
Aplicações

Tratamento térmico em alta temperatura de wafers semicondutores (oxidação, recozimento, dopagem). 

Revestimento e sinterização de wafers na indústria fotovoltaica.

Vantagem competitiva

Estabilidade térmica ultra-alta: resistência a longo prazo a altas temperaturas de 1500°C, sem deformação ou perda de desempenho.

Design de baixa poluição: material de alta pureza + processo não adesivo, evitando a poluição por íons metálicos.

Longa vida útil: excelente resistência ao choque térmico, com vida útil 3 a 5 vezes maior que a de suportes de quartzo.

Personalização flexível: tamanho do suporte, espaçamento entre ranhuras, personalização da profundidade do tratamento da superfície.

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