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Fibra de Carbono
Material compósito carbono-carbono
Material compósito carbono-carbono

Materiais compósitos de carbono-carbono


Os materiais compósitos de carbono-carbono da Semixlab são projetados para as exigentes condições térmicas da fabricação de semicondutores de SiC e GaN, oferecendo excepcional resistência a altas temperaturas, estabilidade dimensional superior e baixíssimo teor de impurezas. Projetados para uso em reatores de epitaxia e sistemas de recozimento de ativação de SiC, esses componentes C/C fornecem suporte mecânico confiável, uniformidade térmica estável e longa vida útil sob temperaturas extremas que excedem 1500–2000 °C. Suas características de baixa emissão de gases e excelente resistência ao choque térmico os tornam ideais para estruturas de aquecimento, suportes de wafers, conjuntos de isolamento e estruturas de suporte de carga em ferramentas de MOCVD, CVD e recozimento de alta energia. Aguardamos seu contato.

Descrição

Os materiais compósitos de carbono-carbono (C/C) da Semixlab são projetados para as exigências térmicas extremas da fabricação de semicondutores de última geração, proporcionando estabilidade mecânica excepcional, precisão dimensional a longo prazo e resistência térmica incomparável em ambientes de alta temperatura e alta pureza.

Em reatores de crescimento epitaxial de SiC e GaN, os compósitos C/C atuam como estruturas críticas de suporte de carga e gerenciamento térmico em placas de aquecimento, estruturas de suporte, dispositivos de fixação e conjuntos de isolamento. Sua microestrutura única oferece alta resistência específica, deformação térmica extremamente baixa e resistência superior à fadiga sob ciclos térmicos repetidos de 1500–1800 °C, garantindo o posicionamento estável do wafer e campos térmicos consistentes ao longo de longos períodos de epitaxia.

Quando processados ​​com tecnologias proprietárias de purificação e densificação, os materiais C/C da Semixlab atingem níveis de impurezas ultrabaixos, adequados para ambientes de MOCVD, CVD e PVT de SiC e GaN, minimizando os riscos de contaminação e permitindo o crescimento uniforme de cristais em nível de wafer e lingote. A alta resistência ao choque térmico do C/C também elimina os modos de falha por microfraturas comuns em cerâmicas ou grafite padrão quando submetidos a ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento inerentes ao processamento epitaxial.

No recozimento de ativação de SiC — frequentemente realizado a temperaturas superiores a 1700 °C — os materiais compósitos de carbono-carbono funcionam como elementos estruturais robustos, conjuntos de aquecimento e camadas de isolamento térmico em câmaras de recozimento de alta energia. Sua capacidade de manter a resistência mecânica acima de 2000 °C, combinada com baixa emissão de gases e inércia química, garante um ambiente térmico limpo e controlado, essencial para a ativação de dopantes em MOSFETs, diodos e módulos de potência de SiC avançados.

Ao contrário do grafite convencional, os materiais C/C preservam a integridade dimensional durante longos períodos de vida útil em altas temperaturas, permitindo perfis de ativação de dopantes precisos e repetíveis, reduzindo a deriva na uniformidade do recozimento e melhorando o desempenho elétrico geral e o rendimento do dispositivo.

A abordagem de engenharia da Semixlab integra arquiteturas de fibra específicas para cada aplicação, densidades de matriz personalizadas e revestimentos superficiais opcionais de SiC de alta pureza ou carbono pirolítico, permitindo que os componentes C/C atendam aos rigorosos requisitos dos equipamentos de epitaxia e recozimento. Esses avanços tecnológicos resultam em maior vida útil das peças, ciclos de manutenção reduzidos e uniformidade térmica significativamente aprimorada.

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