Forno de crescimento de cristais de SiC de grande porte com aquecimento por resistência

O forno de crescimento de cristais de SiC com aquecimento resistivo de grande porte da Semixlab resolve os principais gargalos na cadeia de suprimentos de materiais de SiC: uniformidade cristalina, redução de defeitos e ampliação para substratos de grande diâmetro. A arquitetura de aquecimento resistivo garante o fornecimento de calor reproduzível por meio de elementos de aquecimento de grafite ultraestáveis, permitindo a sublimação controlada de materiais de fonte de SiC de alta pureza e a recondensação consistente na superfície da semente.

No ambiente de crescimento PVT, o forno estabelece um vácuo precisamente regulado ou uma atmosfera de gás inerte que suporta o crescimento de cristais com baixíssima contaminação. Seu gerenciamento de temperatura PID multizona e blindagem térmica projetada garantem o gradiente de temperatura ideal entre a fonte de SiC e a semente, estabilizando a dinâmica de transporte de massa que define a taxa de crescimento do lingote, a uniformidade radial e a consistência da resistividade elétrica. Tanto para substratos de SiC tipo N quanto para substratos semi-isolantes, o forno oferece controle atmosférico excepcional para suportar um gerenciamento preciso de dopantes e defeitos.

O software de controle avançado do sistema fornece monitoramento em tempo real da distribuição de temperatura, condições de pressão e parâmetros do estado de crescimento, permitindo um fluxo de trabalho de produção altamente repetível e orientado por dados que atende aos requisitos de qualidade modernos de semicondutores. Combinado com um design de câmara escalável, materiais reforçados para altas temperaturas e componentes térmicos de longa vida útil, o forno suporta campanhas de crescimento prolongadas e reduz o custo total de propriedade (TCO) para fabricantes de substratos de SiC.

O forno de crescimento de cristais de SiC com aquecimento resistivo de grande porte da Semixlab é ideal para fabricantes que buscam migrar para a produção de lingotes de SiC de 6 e 8 polegadas e expandir a capacidade de produção de substratos de SiC de alta tensão. Ao integrar engenharia térmica de precisão com um robusto controle de processo de nível semicondutor, a Semixlab oferece uma plataforma de crescimento que permite aos clientes acelerar o desenvolvimento da tecnologia SiC, mantendo qualidade superior dos materiais, rendimento e eficiência de fabricação.

Aparência e parâmetros-chave do forno de crescimento de cristais de SiC:

● Processo PVT

● Aquecimento por resistência de grafite

● Temperatura de operação (máx.): 2400℃.

● Vácuo máximo: ≤9X10-5Pa.

● Taxa de aumento de pressão: ≤1.0 Pa/12 h (frio).

● Atingiu e superou o padrão estabelecido pelas principais empresas internacionais do setor, sendo a melhor do ramo.

● Potência da seção de crescimento de cristais: 34.0 kW.

● Entre os fornos similares para crescimento resistivo de cristais, este forno apresenta o menor consumo de energia, podendo reduzir os custos operacionais.

● Precisão do controle de pressão: 0.15 Pa (Seção de crescimento do cristal)

● O tamanho compacto melhorou a taxa de utilização do espaço e a densidade de instalação dos equipamentos.