Anel de borda de SiC sólido

Principais recursos de desempenho

O anel de borda de SiC a granel da Semixlab foi projetado para atender às rigorosas demandas da produção de semicondutores de última geração. Os seguintes atributos de desempenho o tornam a escolha preferencial para câmaras de gravação de plasma em fábricas avançadas:

● Excelente resistência ao bombardeio de plasma

Fabricado em carboneto de silício sólido de alta pureza, o anel de borda apresenta resiliência excepcional ao plasma de alta densidade, garantindo desgaste mínimo e vida útil prolongada do componente sob intenso bombardeio de íons.

● Resistência superior à corrosão por gás

O material SiC oferece alta inércia química, resistindo efetivamente a gases corrosivos como Cl₂, CF₄ e SF₆ sem degradação da superfície, mesmo em ambientes de alta temperatura.

● Excelente resistência ao choque térmico e à tensão térmica

Com uma condutividade térmica de 120-150 W/m·K e um baixo coeficiente de expansão térmica (~4.5×10⁻⁶ /K), a estrutura sólida de SiC mantém a estabilidade dimensional e a integridade mecânica durante o ciclo térmico rápido.

● Superfície lisa, operação sem partículas

Técnicas avançadas de acabamento de superfície garantem uma baixa rugosidade da superfície (Ra ≤ 0.2 µm), minimizando a geração de partículas e simplificando os processos de limpeza da câmara, o que reduz o tempo de inatividade.

● Sem empenamento ou deformação ao longo do tempo

Diferentemente dos anéis de borda compostos convencionais, nosso design monolítico de SiC permanece plano e dimensionalmente estável durante ciclos de processo prolongados, proporcionando desempenho confiável durante longas vidas úteis.

Por que escolher os anéis de borda de SiC da Semixlab?

Na Semixlab, oferecemos qualidade superior, respaldada por expertise e inovação. Veja por que os Anéis de Borda de SiC da Semixlab se destacam:

● Soluções personalizadas

Oferecemos personalização completa com base nas especificações do seu processo, incluindo diâmetros internos/externos, espessuras e revestimentos ou texturas de superfície especiais, garantindo ajuste perfeito e desempenho ideal na sua câmara de gravação.

● Ampla gama de tipos

O Semixlab oferece suporte a diversas plataformas de ferramentas de gravação, incluindo TEL, Lam, AMAT e sistemas OEM personalizados, com anéis de borda padrão e específicos para ferramentas disponíveis para atender a diversas necessidades de processo.

● Qualidade estável, entrega rápida

Com fabricação certificada pela ISO, rigoroso controle de qualidade e uma cadeia de suprimentos otimizada, garantimos desempenho consistente das peças, prazos de entrega curtos e entrega pontual para manter sua produção em andamento sem atrasos.

Propriedades físicas essenciais do SiC sólido

Aplicação na fabricação de semicondutores

O Anel de Borda Sólido de SiC é um componente essencial no processo de gravação a plasma de wafers de silício, atuando como uma interface protetora e estrutural entre o wafer e o hardware da câmara. Posicionado ao redor da borda do wafer, este componente garante a estabilidade do processo, protege o mandril eletrostático (ESC) e reduz os riscos de contaminação, evitando o acúmulo de partículas. É particularmente valioso em ambientes de gravação a seco de alta precisão e RIE (Reactive Ion Etching), onde a repetibilidade do processo, a proteção da câmara e a confiabilidade a longo prazo são cruciais.