Anel de foco de SiC sólido para gravação

O anel de foco de SiC sólido para gravação da Semixlab combina materiais avançados, engenharia de precisão e desempenho comprovado do processo. Projetado para alta resistência ao plasma e contaminação mínima, garante uniformidade superior, maior vida útil e operação estável da ferramenta em ambientes de gravação exigentes.

Composição do material e propriedades principais

O anel de foco de SiC sólido da Semixlab é feito de SiC sinterizado de alta densidade com pureza excepcional e microestrutura controlada.

As principais propriedades físicas incluem:

Essas propriedades garantem um desempenho estável e repetível sob condições de corrosão exigentes.

Aplicações em processos de corrosão de semicondutores

1. Gravação a plasma de alta densidade (ICP / RIE)

O anel de foco de SiC estabiliza a densidade do plasma e a distribuição do campo elétrico próximo à borda do wafer, minimizando efetivamente a sobre-gravação da borda e melhorando a uniformidade da dimensão crítica (CD). Sua robusta resistência à erosão prolonga a vida útil mesmo sob exposição a alta energia iônica.

2. Gravação de íons reativos profundos (DRIE)

Durante os processos DRIE — comuns na fabricação de MEMS e dispositivos de potência — o anel focalizador de SiC sólido suporta bombardeio iônico repetido e deposição de polímero sem deformação. Sua baixa geração de partículas contribui para maior rendimento e ciclos de manutenção reduzidos.

3. Ambientes de corrosão à base de flúor e cloro

A inércia química do SiC impede a reação com gases de plasma à base de halogênios (SF₆, CF₄, Cl₂, BCl₃), proporcionando estabilidade dimensional a longo prazo e protegendo a câmara contra contaminação ou difusão metálica.

4. Gravação de alta potência e longa duração

Graças às suas excelentes propriedades de gestão térmica, o SiC dissipa eficientemente o calor proveniente de processos prolongados de corrosão de alta energia, mantendo a integridade mecânica e a precisão dimensional mesmo sob severos ciclos de temperatura.

Vantagens técnicas da Semixlab

1. Engenharia Avançada de Materiais

A Semixlab utiliza sinterização de precisão e tecnologia de pó de SiC de alta pureza, alcançando densidade de material e uniformidade microestrutural excepcionais. Cada componente passa por usinagem CNC e polimento com superfície espelhada, garantindo geometria precisa e interferência reduzida do plasma.

2. Capacidade de personalização completa

Oferecemos anéis de foco personalizados, projetados para se adaptarem a diversas plataformas de gravação OEM (LAM, TEL, AMAT, Oxford, etc.). A geometria, a condutividade e a espessura podem ser otimizadas de acordo com o seu ambiente de plasma e o tamanho do wafer (200 mm / 300 mm / 450 mm).

3. Testes de qualidade rigorosos

Todas as peças de SiC são testadas segundo rigorosos padrões dimensionais, térmicos e de resistência ao plasma, incluindo:

● Verificação de densidade e porosidade

● Simulação de erosão por plasma e testes de desgaste acelerado

● Inspeção de rugosidade superficial (Ra ≤ 0.05 μm)

● Certificação de tensão térmica e planicidade

A Semixlab é uma fabricante líder de componentes de carbeto de silício (SiC) de alta pureza na China, especializada em anéis de foco de SiC sólido de engenharia de precisão para sistemas avançados de gravação a plasma. Projetados para oferecer excepcional resistência ao plasma, estabilidade térmica e precisão dimensional, cada anel de foco garante distribuição uniforme do plasma e controle superior do perfil de gravação.

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