Revestimento de carboneto de silício (SiC) CVD

O revestimento de SiC por CVD é basicamente uma camada de carbeto de silício depositada sobre grafite, sendo amplamente utilizado em ferramentas de epitaxia onde tanto a temperatura quanto a limpeza são cruciais. Em linhas de produção reais, é comum encontrá-lo em sistemas da AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, bem como em algumas plataformas relacionadas à AMAT. Sua utilidade reside não apenas na resistência à temperatura, mas também na estabilidade geral durante longos períodos de crescimento. Sob condições típicas de epitaxia — hidrogênio, amônia ou mesmo gases clorados — o revestimento permanece relativamente estável e protege a grafite subjacente. Isso contribui para manter o campo térmico mais consistente e reduz a probabilidade de aparecimento de partículas durante o crescimento.

Na maioria das vezes, o revestimento é aplicado a peças como susceptores, suportes de wafers, anéis de grafite ou componentes em forma de meia-lua. Todas essas peças estão diretamente envolvidas no aquecimento ou posicionamento do wafer, portanto, qualquer pequena instabilidade pode afetar o rendimento. Por esse motivo, as peças revestidas são frequentemente tratadas como consumíveis que ainda precisam ser confiáveis ​​ao longo de múltiplos ciclos, especialmente na produção de wafers de 4 a 12 polegadas.