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Susceptor de wafer revestido de SiC
Detalhe rápido:
Finalidade: Projetado especificamente para processos de alta temperatura CVD (1000°C - 1400°C) e PVD de semicondutores, ele fornece uma plataforma de suporte estável para wafers.
Parâmetros principais: Rugosidade da superfície Ra < 0.5 μm; alta dureza (> 2500 HV); o coeficiente de expansão térmica (CTE) é precisamente correspondido (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), eliminando completamente a deformação ou deslizamento do wafer causados por estresse térmico.
Descrição
A Semixlab fornece susceptores de wafer de alto desempenho. Este produto é aplicado principalmente em equipamentos CVD/PVD semicondutores para fornecer suporte aos wafers e evitar danos e quedas acidentais causados pelo fluxo de nitrogênio.
A base de carboneto de silício revestido de SiC (Susceptor revestido de SiC) é amplamente utilizada em semicondutores devido às suas características como resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, alta pureza e menos poluição dos wafers.
Aplicação:
Projetado especificamente para processos de alta temperatura CVD (1000°C - 1400°C) e PVD de semicondutores, ele fornece uma plataforma de suporte estável para wafers.
Características principais:
Excelente estabilidade em altas temperaturas: suporta temperaturas extremas acima de 1400 °C, garantindo o posicionamento preciso do wafer sem qualquer desvio.
Proteção super forte: resiste efetivamente ao impacto do fluxo de nitrogênio >10 m/s e quedas acidentais, proporcionando proteção máxima para o wafer.
Excelente durabilidade: o revestimento de SiC oferece alta dureza (>2500 HV) e resistência à corrosão, prolongando a vida útil.
High-purity surface: Surface roughness Ra < 0.5 μm, reducing the risk of particle contamination.
Base de silício (susceptor de silício)
Application: Suitable for high-temperature processes of silicon wafers with extremely high requirements for thermal matching (such as epitaxial growth, <1200°C).
Características principais:
● Combinação térmica perfeita: Consistente com o material do wafer (silício monocristalino), o coeficiente de expansão térmica (CTE) é precisamente correspondido (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), eliminando completamente a deformação ou deslizamento do wafer causados por estresse térmico.
● Entrega rápida: O ciclo de entrega de produtos padrão é significativamente reduzido, chegando a 4 a 6 semanas (comparado com 8 a 12 semanas para bases de SiC).
● Alta pureza: atende aos padrões de materiais de silício de grau semicondutor.
● Surface quality: Precisely polished, surface roughness Ra < 0.2 μm.
Especificações
| Propriedades físicas básicas do revestimento de SiC CVD | |
| Propriedade | Valor típico |
| Estrutura de cristal | Fase β policristalina FCC, principalmente orientada (111) |
| Densidade | 3.21 g / cm³ |
| Dureza: | Dureza 2500 Vickers (carga de 500g) |
| Tamanho de grão | 2 ~ 10μm |
| Pureza Química | 99.99995% |
| Capacidade de calor | 640 J · kg-1·K-1 |
| Temperatura de sublimação | 2700 ℃ |
| Força Flexural | 415 MPa RT 4 pontos |
| Módulo de Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| Condutividade térmica | 300W·m-1·K-1 |
| Expansão Térmica (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Aplicações
Susceptor de grafite de crescimento de camada epitaxial de SiC.
Desvio de entrada de gás e controle de campo térmico em forno de crescimento epitaxial de SiC.
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