Aquecedor de grafite revestido com SiC para MOCVD
O aquecedor MOCVD de grafite revestido com SiC da Semixlab é um dispositivo de aquecimento de alto desempenho projetado para processos de fabricação de semicondutores que utiliza deposição química de vapor (CVD) para formar um revestimento uniforme e denso de carbeto de silício (SiC) na superfície de um substrato de grafite de altíssima pureza.
Descrição
produtos Detalhes
O aquecedor MOCVD de grafite revestido com SiC combina a excelente condutividade térmica da grafite com a alta resistência à temperatura e à corrosão dos revestimentos de SiC, sendo amplamente utilizado em equipamentos de deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD) para garantir estabilidade e alta pureza nos processos de crescimento epitaxial de wafers.
Aquecedor MOCVD de grafite revestido com SiC - Características do produto
1. Pureza e estabilidade química ultraelevadas
Pureza ≥99.99995%: Nosso aquecedor de grafite é preparado sob cloração em alta temperatura através do processo CVD, o que evita eficazmente a contaminação por impurezas metálicas e atende à demanda por ambientes ultralimpos na fabricação de semicondutores.
Anticorrosão química: O revestimento de SiC, denso e de alta dureza (dureza Vickers de 2500 a 2800), resiste à erosão causada por ácidos, álcalis, sais e solventes orgânicos, prolongando a vida útil do equipamento em ambientes com gases corrosivos.

2. Excelente resistência a altas temperaturas
Alta estabilidade térmica: suporta até 3000°C em atmosfera inerte, operação estável até 2200°C em ambiente de vácuo e 1600-1700°C em ambiente oxidante, sendo adequado para as condições extremas da câmara de reação MOCVD.
Baixo coeficiente de expansão térmica (4.5 x 10-⁶K-¹): Esta característica do aquecedor de grafite MOCVD reduz eficazmente o aparecimento de fissuras ou desprendimento do revestimento devido a alterações de temperatura, garantindo a integridade estrutural em ciclos térmicos prolongados.
3. Desempenho otimizado de gerenciamento térmico
Alta condutividade térmica (200-300 W/mK): A alta condutividade térmica do aquecedor MOCVD de grafite permite que o produto transfira calor de forma rápida e uniforme, alcançando uma distribuição consistente da temperatura na superfície do wafer (±1°C), melhorando assim a uniformidade da camada epitaxial.
Projeto do Campo de Fluxo de Gás Laminar: Após iterações e aprimoramentos tecnológicos contínuos, a suavidade da superfície (Ra ≤ 0.8 μm) e a otimização geométrica do nosso aquecedor MOCVD garantem a distribuição uniforme dos gases reativos e reduzem a não uniformidade da deposição causada pela turbulência.
Especificações
Comparação de parâmetros técnicos e vantagens
| Particularidades | Aquecedores revestidos com SiC da Semixlab | Aquecedores de grafite convencionais |
| Temperatura máxima de operação (inerte) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Pureza Química | ≥% 99.99995 | ≤ 99.99 |
| Condutividade térmica: | 300 W / mK | 120-150 W/mK |
| Adesão de revestimento | 415 MPa (flexão de 4 pontos) | 100-200 MPa |
| Ciclos de vida típicos | > 500 ciclos | 100-200 ciclos |
Vantagem competitiva
Por que a Semixlab?
Personalização: A Semixlab está comprometida em fornecer produtos e serviços técnicos personalizados aos nossos clientes. Oferecemos suporte à personalização de tamanhos não padronizados (até 360 mm de diâmetro) e espessuras de revestimento (20-500 μm) para atender a uma ampla gama de necessidades de equipamentos.
Certificação Global: Nosso aquecedor de grafite revestido com SiC está em conformidade com a norma SEMI, possui certificação ISO 9001 e nossos produtos são exportados principalmente para a Europa e os Estados Unidos, bem como para o Japão e a Coreia do Sul, com uma significativa vantagem em termos de custo-benefício.
Sinergia técnica: A Semixlab mantém há muito tempo uma estreita cooperação com as principais instituições de pesquisa da China, utilizando tecnologias de revestimento patenteadas (como o processo SiC³ da CGT Carbon) para otimizar a densidade do revestimento e a resistência ao choque térmico.

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