Susceptor de grafite revestido com SiC por CVD para epitaxia

Vantagens e recursos do produto

● Superfície de trabalho revestida com SiC

A camada de SiC depositada por CVD forma a superfície do susceptor voltada para o processo e ajuda a proteger o grafite do ambiente de processo circundante.

● Corpo em grafite de alta pureza

O substrato de grafite proporciona a resposta térmica necessária para a epitaxia em altas temperaturas e pode ser usinado para se adequar a diferentes projetos de equipamentos.

● Posição do wafer rebaixada

A estrutura escalonada proporciona à pastilha uma área de apoio fixa, ajudando a manter sua posição durante o processamento.

● Fabricado para equipamentos de epitaxia

O susceptor pode ser fabricado para diferentes diâmetros de wafer, dimensões de cavidade e configurações de equipamentos usados ​​na produção de GaN e GaAs.

Personalização, garantia de qualidade e suporte.

Podemos fabricar o corpo de grafite, o compartimento do wafer e o revestimento de SiC por CVD de acordo com seu desenho, tamanho do wafer ou requisitos de equipamento, com inspeção realizada antes do envio; envie-nos seu desenho ou detalhes da aplicação para um orçamento.

Especificações e categorias de produtos

O susceptor é utilizado em sistemas MOCVD para o crescimento epitaxial de GaN e GaAs, onde o wafer precisa de suporte estável durante todo o processo de deposição.

As aplicações típicas incluem epitaxia de semicondutores compostos, crescimento de wafers de LED e desenvolvimento de dispositivos baseados em GaN.

Diferentes tamanhos de cavidades e configurações de superfície podem ser fornecidos para tamanhos de wafer e projetos de reatores específicos.