Barco de SiC de alta pureza

O substrato de carbeto de silício (SiC) de alta pureza é um suporte cerâmico de alto desempenho projetado para processos semicondutores de alta temperatura, crescimento de cristais e tratamento térmico de precisão. É sinterizado com material de SiC de altíssima pureza e possui excelente resistência a altas temperaturas, resistência ao choque térmico e estabilidade química. É amplamente utilizado em difusão de semicondutores, CVD, epitaxia de LEDs e crescimento de monocristais fotovoltaicos.

Aplicação:

O barco de SiC de alta pureza é um consumível essencial para processos semicondutores, usado principalmente para transportar e transferir wafers em ambientes de alta temperatura, sendo amplamente utilizado em processos de difusão, oxidação, recozimento e CVD de wafers de silício. É especialmente adequado para processos de alta temperatura de semicondutores de terceira geração (como SiC/GaN) e dispositivos de potência.

Serviços que podem ser fornecidos:

análise de cenários de aplicação do cliente, correspondência de materiais, resolução de problemas técnicos.

Perfil da empresa:

A Semixlab conta com 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com capacidades de P&D e produção, testes e verificação.

Parâmetros técnicos

Principais campos de aplicação

Endosso de verificação da cadeia ecológica

A verificação da cadeia ecológica do barco de SiC de alta pureza da Semixlab abrange desde as matérias-primas até a produção, tendo obtido certificação de padrões internacionais e possuindo diversas tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos setores de semicondutores e novas energias.

Processo típico de aplicação

Preparação da matéria-prima (pó de SiC de alta pureza) → Processo de conformação (prensagem a seco/prensagem isostática) → Processo de sinterização → Usinagem e acabamento superficial (retificação/polimento CNC, ataque químico, recozimento) → Purificação e revestimento CVD → Controle de qualidade → Embalagem

Graças à otimização de parâmetros de processo de ponta, o design estrutural exclusivo do barco de SiC de alta pureza da Semixlab garante excelente estabilidade do wafer, reduzindo significativamente o risco de contaminação por partículas. Sua vida útil pode ser de 5 a 8 vezes maior que a dos barcos de quartzo tradicionais, tornando-o uma solução ideal para processamento de wafers em altas temperaturas. Essa inovação permite a substituição gradual de importações no mercado de semicondutores, oferecendo uma solução nacional de alto desempenho e custo-benefício.

Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou amostras de testes, entre em contato com nossa Equipe de Suporte Técnico para descobrir como o Semixlab pode melhorar a eficiência do seu processo.

Vantagens do núcleo de barco de SiC de alta pureza da Semixlab

1. Pureza extrema (vantagem fundamental)

O SiC de alta pureza da Semixlab possui pureza ultra-alta (≥99.9999%) e o teor de impurezas (Fe, Al, Na, etc.) é controlado em nível de 1 ppm para evitar a contaminação de wafers ou materiais epitaxiais, sendo especialmente adequado para a fabricação de semicondutores SiC/GaN.

2. Inércia química (resistência à corrosão)

Resistente à erosão por ácidos, álcalis/plasma e gases corrosivos como HF, HCl e H2 (utilizados em processos de corrosão de semicondutores). Não libera gases em altas temperaturas.

3. Resistência mecânica e vida útil

Ultra-alta dureza, excelente resistência ao desgaste, reduz o risco de desprendimento de partículas e prolonga a vida útil (geralmente de 3 a 5 vezes a de um barco de quartzo). Não se deforma facilmente em altas temperaturas, mantendo a planicidade do wafer (como, por exemplo, empenamento <0.1 mm em um forno de difusão).

4. Compatibilidade de processo

Adaptável a uma variedade de ambientes agressivos, atmosferas de oxidação/redução (como O2, H2, Ar) e processos de revestimento CVD/PVD. A superfície pode ser personalizada, por exemplo, por polimento (Ra<0.1 μm) ou revestimento (como SiO2) para reduzir ainda mais a contaminação.